Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60DM2, 600В, 7,6А, TO247 (10 шт.)
Код: TM020990
В наличии
3 300 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 550 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 90 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | MDmesh™ DM2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18N60DM2 — это силовой полупроводниковый прибор технологии MDmesh™ DM2 в корпусе TO247. Комплект состоит из 10 единиц, предназначенных для монтажа на плату (THT).
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 7,6 А
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,26 Ом
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ DM2, версия ESD
- Комплектация: 10 шт.
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 7,6 А. Рассеиваемая мощность составляет 90 Вт.
Технология MDmesh™ DM2Использование технологии MDmesh™ DM2 обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии 0,26 Ом. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Защита ESD и монтажКомпонент имеет версию ESD. Тип монтажа THT (through-hole technology). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±25 В.
Комплект из 10 транзисторов STW18N60DM2 в корпусе TO247.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
