Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2, 600В, 26А, TO220FP (набор 10 шт.)
Код: TM020816
В наличии
3 860 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 643 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 26 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 108 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2 — это полевой транзистор с обогащенным каналом, предназначенный для работы под напряжением до 600 В. Модель выполнена в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа и реализует технологию MDmesh™.
- N-MOSFET (полевой, обогащенный канал)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 26 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 108 мОм
- Корпус: TO220FP, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 26 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 108 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 35 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент изготовлен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной (THT). Используется технология MDmesh™.
КомплектацияВ наборе поставляется 10 шт. транзисторов STF33N60M2. Полярность транзистора — униполярная. Канал транзистора — обогащенный. Заряд затвора составляет 45,5 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
