
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 150 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA50IH65DF в корпусе TO247-3. Максимальное напряжение коллектор-эммитер составляет 650 В, ток коллектора — 50 А, максимальная мощность рассеивания — 300 Вт.
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением коллектор-эммитер 650 В. Максимально допустимый ток коллектора равен 150 А, а ток коллектора — 50 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 300 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Заряд затвора составляет 158 нКл, а максимально допустимое напряжение затвор-эммитер — ±20 В.
КомплектацияВ наборе поставляется 10 транзисторов.