
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 28 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT STGW30NC60KD от STMicroelectronics в корпусе TO247-3. Устройство рассчитано на максимальное напряжение 600 В и ток коллектора 28 А при мощности рассеивания 200 Вт.
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В и выдерживает ток коллектора до 28 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 200 Вт. Заряд затвора (gate charge) равен 96 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Встроенный антипараллельный диод интегрирован в структуру транзистора.
КомплектацияВ наборе поставляется 5 транзисторов.