
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 18 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 188 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе TO220FP. Комплект состоит из 10 единиц, предназначенных для навесного монтажа.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В, а напряжение затвор-исток — 25 В. Максимально допустимый ток стока равен 18 А, при этом сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 188 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 30 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор имеет тип монтажа «навесной» и выполнен в корпусе TO220FP. Это однополярный (unipolar) компонент с индуцированным каналом (enhancement). Заряд затвора составляет 29 нКл, а импульсный ток стока — 72 А.
КомплектацияВ комплекте поставляется 10 шт. транзисторов. Транзистор изготовлен производителем STMicroelectronics, а его символ в каталоге TME — STF25N60M2-EP.