Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP, 650 В, 18 А, TO220FP (10 шт.)

Код: TM020812
В наличии

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 578 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP, 650 В, 18 А, TO220FP (10 шт.) - фото 1 - id-p3243284961

Характеристики и описание

Основные

Производитель
STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания30 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток25 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток650 В
Максимально допустимый ток стока18 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)188 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Гарантийный срок12 міс
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220FP

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N60M2-EP — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе TO220FP. Комплект состоит из 10 единиц, предназначенных для навесного монтажа.

  • Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
  • Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
  • Максимально допустимый ток стока: 18 А
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 188 мОм
  • Корпус: TO220FP
  • Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В, а напряжение затвор-исток — 25 В. Максимально допустимый ток стока равен 18 А, при этом сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 188 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 30 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет тип монтажа «навесной» и выполнен в корпусе TO220FP. Это однополярный (unipolar) компонент с индуцированным каналом (enhancement). Заряд затвора составляет 29 нКл, а импульсный ток стока — 72 А.

Комплектация

В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов. Транзистор изготовлен производителем STMicroelectronics, а его символ в каталоге TME — STF25N60M2-EP.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Iskra
Iskra
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

MOSFET EMB20N03V
179 ₴