
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 900 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 48 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXYP8N90C3D1, выполнен в корпусе TO220-3.
Максимальная мощность рассеивания составляет 125 Вт. Заряд затвора равен 13,3 нКл, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажТранзистор имеет штыревой тип монтажа и выполнен в корпусе TO220-3. Используется технология GenX3™, Planar, XPT™.
КомплектацияВ комплекте поставляется 10 шт. транзисторов.