Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK60Z, 600В, 4,4А, TO220-3 (набор 10 шт.)
Код: TM156913
В наличии
3 090 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 515 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 950 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | SuperMesh™ |
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET STP9NK60Z от STMicroelectronics в корпусе TO220-3. Монтаж: THT. Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, максимальный ток стока: 4,4 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 4,4 А
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технология: SuperMesh™, версия ESD
- Количество в наборе: 10 шт.
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 125 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 0,95 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Технология и монтажКомпонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Компонент имеет версию ESD. Монтаж выполняется методом вывода в отверстия (THT).
Комплектация и корпусВ упаковке содержится 10 единиц транзисторов STP9NK60Z в корпусе TO220-3.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
