Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STD35P6LLF6, DPAK, 20 шт.
Код: TM020798
В наличии
3 930 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 655 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STD35P6LLF6 в корпусе DPAK. Это полевой транзистор с максимальным током -25 А и мощностью рассеивания 70 Вт. В комплекте поставляется 20 штук.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: DPAK
- Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 36 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Количество в комплекте: 20 шт.
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «обогащенный» и униполярной полярностью. Максимальная мощность рассеивания составляет 70 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 36 мОм.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе DPAK. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) составляет 20 В.
КомплектацияВ наборе содержится 20 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
