Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N, 600 В, 5 А, TO220-3 (набор 10 шт.)
Код: TM037160
В наличии
3 610 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 602 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N — это униполярный прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 5 А. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 5 А (импульсный до 32 А)
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ II
- Комплектация: 10 шт.
Транзистор работает с напряжением сток-исток 600 В и постоянным током стока 5 А. Импульсный ток стока составляет 32 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,55 Ом, а рассеиваемая мощность — 70 Вт.
Технология и монтажПрибор изготовлен по технологии MDmesh™ II. Монтаж осуществляется методом THT (сквозной монтаж) в корпусе TO220-3. Напряжение между затвором и истоком ограничено значением ±25 В, а заряд затвора равен 19 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
