Транзистор IGBT IXYS IXBT6N170, 1,7 кВ, 6 А, 75 Вт, D3PAK (набор 2 шт.)
Код: TM019235
В наличии
3 580 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 597 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 75 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 36 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | D3PAK |
| Технология | BiMOSFET™, FRED |
Транзистор IGBT IXYS IXBT6N170 — биполярный транзистор с изолированным затвором, технология BiMOSFET™, FRED, корпус D3PAK. Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7 кВ, ток коллектора — 6 А. В наборе 2 шт.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1,7 кВ
- Ток коллектора: 6 А
- Мощность рассеяния: 75 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Заряд затвора: 17 нКл
- Корпус: D3PAK, поверхностный монтаж
Максимальная мощность рассеяния — 75 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Заряд затвора — 17 нКл. Относится к высоковольтным полупроводниковым элементам.
Конструкция и монтажКорпус — D3PAK, тип монтажа — поверхностный.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
