
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
|---|---|
| Максимально допустимый ток стока | 500 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 0.9 mOm |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
Одиночный силовой транзистор MOSFET от бренда DACO Semiconductor с маркировкой DAMI660N60. Компонент выполнен в корпусе SOT227B и предназначен для работы с напряжением до 60 В и током до 500 А.
Транзистор имеет максимально допустимое напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 500 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 0,9 мОм.
Конструкция и монтажКомпонент является однополярным (униполярным) и имеет структуру одиночного транзистора. Механический и электрический монтаж выполняется с помощью прикручивания.