Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4, 60 В, 8,5 А, DPAK (набор 20 шт.)

Код: TM020790
В наличии

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 545 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4, 60 В, 8,5 А, DPAK (набор 20 шт.) - фото 1 - id-p3243315388

Характеристики и описание

Основные

Производитель
STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания30 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока8.5 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)100 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

ВерсияESD
Гарантийный срок12 міс
Количество в комплекте20 шт.
КорпусDPAK
ТехнологияSuperMesh™

Полевой транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4 в корпусе DPAK. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 8,5 А.

  • Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
  • Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
  • Максимально допустимый ток стока: 8,5 А
  • Максимальная мощность рассеивания: 30 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 100 mOm
  • Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
  • Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 8,5 А.

Сопротивление и мощность

Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 100 mOm. Максимальная мощность рассеивания транзистора — 30 Вт.

Технология и версия

Производитель использует технологию SuperMesh™. Версия компонента обозначена как ESD.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Iskra
Iskra
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор FDS3570
999 ₴
1 322 ₴