
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Полевой транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4 в корпусе DPAK. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 8,5 А.
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 8,5 А.
Сопротивление и мощностьСопротивление в открытом состоянии (Rds) — 100 mOm. Максимальная мощность рассеивания транзистора — 30 Вт.
Технология и версияПроизводитель использует технологию SuperMesh™. Версия компонента обозначена как ESD.