Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVNL120GTA, 200 В, 0,32 А, SOT223 (набор 20 шт.)
Код: TM021621
В наличии
3 380 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 563 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.32 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVNL120GTA — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT223. Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
- Максимальный ток стока: 0,32 А
- Корпус: SOT223 (поверхностный монтаж)
- Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
- Количество в комплекте: 20 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 200 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 0,32 А, при этом ток в импульсном режиме может достигать 2 А. Максимальная мощность рассеивания — 2 Вт, сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 10000 мОм.
Канал и полярностьТранзистор имеет обогащенный канал и является униполярным. Корпус — SOT223, тип монтажа — поверхностный.
КомплектацияВ наборе поставляется 20 шт. транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
