Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10B60D, 600 В, 40 А, TO220 (набор 20 шт.)
Код: TM017893
В наличии
3 470 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 578 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 82 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT от бренда ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, модель AOT10B60D. Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер 600 В, максимально допустимый ток коллектора 40 А в корпусе TO220. В комплекте поставляется 20 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 40 А
- Максимальная мощность рассеивания: 82 Вт
- Корпус: TO220
- Количество в комплекте: 20 шт.
Транзистор имеет максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер 600 В и максимально допустимый ток коллектора 40 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 82 Вт. Заряд затвора составляет 17,4 нКл, а максимально допустимое напряжение затвор-эммитер ±20 В.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO220 с вставным типом монтажа. Энергия выключения — 0,07 мДж, энергия включения — 0,26 мДж.
КомплектацияВ наборе содержится 20 транзисторов IGBT модели AOT10B60D. Напряжение насыщения коллектор-эммитер: 1,53 В.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
