
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 60 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 32 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | STripFET™ F7 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 — это униполярный компонент с технологией STripFET™ F7.## Комплектация
Сопротивление в открытом состоянии составляет 18 мОм. Этот параметр определяет потери энергии при прохождении тока через транзистор.
Ток и мощностьПостоянный ток стока составляет 32 А, а импульсный ток — 180 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 60 Вт.
Электрические параметрыМаксимальное напряжение сток-исток равно 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Канал типа «обогащенный» (enhancement mode) обеспечивает предсказуемое открывание транзистора при подаче управляющего сигнала.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе DPAK. Монтаж осуществляется по технологии SMD (поверхностный монтаж).