
| Максимальная мощность рассеивания | 320 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 180 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.5 mOm |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
Одиночный силовой транзисторный модуль DACO Semiconductor DAMI300N150 в корпусе SOT227B. Максимальное напряжение сток-исток 150 В, максимальный ток стока 180 А.
Модуль имеет максимальное напряжение сток-исток 150 В и максимально допустимый ток стока 180 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 4.5 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 320 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено 20 В.
Конструкция и монтажТранзисторный модуль MOSFET имеет структуру одиночного транзистора и униполярную поляризацию. Механический и электрический монтаж выполняется с помощью прикручивания.