Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXM64P02XTA, набор 20 шт.
Код: TM021623
В наличии
4 050 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 675 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | MSOP8 |
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXM64P02XTA — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа. В комплект входит 20 единиц компонентов в корпусе MSOP8.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: MSOP8
- Тип монтажа: поверхностный
- Максимальная мощность рассеивания: 1,1 Вт
- Напряжение затвор-исток: 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 130 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,1 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 12 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 130 мОм.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе MSOP8 с поверхностным типом монтажа (SMD).
Дополнительные характеристикиВ наборе поставляется 20 шт. транзисторов. Корпус компонента — MSOP8. Импульсный ток стока (Idm) составляет -19 А. Заряд затвора равен 6,9 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
