Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0160120T SiC 1200В 12А (набор 10 шт.)
Код: TM113793
В наличии
4 080 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 680 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 121 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TOLL |
| Производитель | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET от бренда SMC DIODE SOLUTIONS, модель S2M0160120T, изготовлен по технологии SiC. Это униполярный компонент с напряжением сток-исток 1,2 кВ и током стока 12 А.
- Технология SiC
- Напряжение сток-исток 1,2 кВ
- Ток стока 12 А (импульсный 40 А)
- Рассеиваемая мощность 121 Вт
- Корпус TOLL, монтаж SMD
- Набор из 10 транзисторов
Транзистор имеет напряжение сток-исток 1,2 кВ и ток стока 12 А.
Технология SiCКомпонент изготовлен по технологии SiC. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,3 Ом.
Мощность и токМаксимальная рассеиваемая мощность составляет 121 Вт, а импульсный ток стока — 40 А.
Монтаж и комплектацияКомпонент выполнен в корпусе TOLL с технологией монтажа SMD. В комплекте поставляется 10 штук.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
