Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z, 600 В, 5,7 А, TO220-3 набор 10 шт.
Код: TM156902
В наличии
3 210 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 535 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z — это униполярный компонент с технологией SuperMesh™. Модель имеет напряжение сток-исток 600 В и ток стока 5,7 А.
- Напряжение сток-исток 600 В
- Ток стока 5,7 А
- Мощность рассеивания 115 Вт
- Технология SuperMesh™
- Версия ESD
- Набор из 10 транзисторов в корпусе TO220-3
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В. Ток стока составляет 5,7 А. Напряжение между затвором и истоком составляет ±30 В.
Мощность и сопротивлениеМощность рассеивания транзистора составляет 115 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,75 Ом. Компонент имеет обогащенный канал.
Технология и защитаКомпонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Транзистор имеет версию ESD.
Корпус и комплектацияТранзистор имеет корпус TO220-3 с типом монтажа THT. Товар поставляется набором из 10 шт.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
