Транзистор P-MOSFET IXYS IXTK32P60P, -600 В, -32 А, 890 Вт, TO264 (набор 2 шт.)
Код: TM203711
В наличии
3 670 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 612 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 890 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Время готовности | 480 нс |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO264 |
| Технология | PolarP™ |
Полевой транзистор P-MOSFET IXYS IXTK32P60P, выполненный по технологии PolarP™. Напряжение сток-исток — -600 В, ток стока — -32 А, максимальная мощность рассеивания — 890 Вт. В наборе 2 шт.
- Напряжение сток-исток: -600 В
- Ток стока: -32 А
- Мощность рассеивания: 890 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 350 мОм
- Корпус: TO264
- Количество в наборе: 2 шт.
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 350 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Заряд затвора — 196 нКл, время готовности — 480 нс. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), поляризация — униполярная.
Конструкция и монтажКорпус — TO264, тип монтажа — вставной.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
