
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 42 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF06T4 — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе DPAK. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 42 А.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока достигает 42 А, что определяет мощность устройства. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 16 mOm, что влияет на тепловые потери при работе. Максимальная мощность рассеивания — 110 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в поверхностном корпусе DPAK. Используется технология SuperMesh™. Версия устройства обозначена как ESD. Тип монтажа — поверхностный (SMD).
КомплектацияВ наборе поставляется 10 шт. транзисторов.