
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 360 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 31 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Транзистор IGBT производства ONSEMI, модель ISL9V5036P3-F085. Предназначен для систем зажигания, выполнен в корпусе TO220-3 с выводным монтажом. В комплекте 10 штук.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 360 В, а максимальный ток коллектора — 31 А. Мощность рассеивания достигает 250 Вт. Напряжение затвор-эмиттер составляет ±10 В, что соответствует логическому уровню управления. Заряд затвора равен 32 нКл.
Конструкция и монтажКомпонент имеет корпус TO220-3 с выводным типом монтажа. Версия ESD. Изделие предназначено для использования в системах зажигания.