Транзистор IGBT STARPOWER DG75X12T2, 1200 В, 75 А, TO247PLUS (комплект 2 шт.)
Код: TM112021
В наличии
2 820 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 470 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 852 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимый ток коллектора | 225 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247PLUS |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
IGBT-транзистор STARPOWER DG75X12T2 — полупроводниковый прибор типа IGBT. Комплект состоит из 2 штук в корпусе TO247PLUS с монтажом THT.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
- Ток коллектора: 75 А (импульсный: 225 А)
- Мощность рассеивания: 852 Вт
- Корпус: TO247PLUS, монтаж THT
- Встроенный антипараллельный диод
- Комплект: 2 транзистора
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 1200 В и постоянный ток коллектора 75 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 225 А. Мощность рассеивания составляет 852 Вт.
Быстродействие и управлениеВремя включения транзистора — 163 нс, время выключения — 559 нс. Заряд затвора равен 0,49 мкКл. Максимальное напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В.
Конструктивные особенности и монтажПрибор имеет встроенный антипараллельный диод. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж) в корпусе TO247PLUS. В комплекте поставляется 2 штуки.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
