Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N50F, 500 В, 14 А, TO3PN (набор 10 шт.)
Код: TM018562
В наличии
4 070 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 678 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 270 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 14 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N50F — полевой транзистор с каналом встроенного типа (enhancement mode) в корпусе TO3PN. Максимальное напряжение сток-исток составляет 500 В, а ток стока — 14 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
- Максимально допустимый ток стока: 14 А
- Максимальная мощность рассеивания: 270 Вт
- Корпус: TO3PN
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и напряжение затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока равен 14 А, а мощность рассеивания — 270 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 200 мОм.
Конструкция и монтажКомпонент имеет штыревой тип монтажа и выполнен в корпусе TO3PN. Это полевой транзистор с каналом встроенного типа (enhancement mode).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
