Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10NM60N, 600В, 10А, TO220FP (набор 10 шт.)
Код: TM156867
В наличии
3 510 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 585 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10NM60N — это униполярный компонент с напряжением сток-исток 600 В и током стока 10 А. Силовой N-MOSFET транзистор. Тип канала — обогащенный, полярность — униполярная.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 10 А (импульсный: 32 А)
- Рассеиваемая мощность: 25 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Набор: 10 транзисторов
Транзистор выдерживает напряжение сток-исток до 600 В. Номинальный ток стока составляет 10 А, а импульсный ток (Idm) достигает 32 А.
Корпус и монтажРассеиваемая мощность составляет 25 Вт. Корпус TO220FP, монтаж выводной (THT).
Комплектация и заряд затвораТовар поставляется набором из 10 штук. Заряд затвора (Qg) составляет 19 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
