Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4N150, 1500 В, 2,5 А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM078835
В наличии
2 220 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 370 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 160 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7000 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | PowerMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4N150 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы с высоким напряжением. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе TO220-3 для монтажа на печатную плату.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 1500 В
- Ток стока: 2,5 А
- Рассеиваемая мощность: 160 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Сопротивление в состоянии проводимости: 7 Ом
- Комплектация: 5 шт.
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 1500 В (1,5 кВ) и ток стока 2,5 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 160 Вт.
Технология PowerMesh™Прибор изготовлен по технологии PowerMesh™. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 7 Ом.
Удобный монтаж и комплектацияКорпус TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT). В комплекте поставляется 5 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
