Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM2AG, 600 В, 21 А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM156909
В наличии
3 080 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 513 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 21 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 93 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ DM2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM2AG — это полупроводниковый прибор в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 5 единиц, предназначенных для монтажа на плату (THT).
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Постоянный ток стока: 21 А
- Импульсный ток стока: 136 А
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 93 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Транзистор имеет напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 21 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 136 А, а рассеиваемая мощность составляет 250 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 93 мОм.
Технология и монтажПрибор изготовлен по технологии MDmesh™ DM2. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия). Поляризация транзистора — униполярная, канал обогащенный.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
