Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT15B60D, 600 В, 60 А, TO220 (20 шт.)

Name: Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT15B60D, 600 В, 60 А, TO220 (20 шт.)
SKU: TM151001
Price: 3180 UAH
Availability: InStock

Код: TM151001

В наличии

3 180 ₴

+5%

бонусов с картой Rozetka

Продавец Iskra

100%

Доставка

Подписка на доставку Smart
Бесплатно — в отделения Новой почты
Узнать больше
Нова Пошта

Оплата и гарантии

Безопасная оплата картой
Без переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частями
Без переплат*, от 530 ₴/мес.
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз

Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT15B60D, 600 В, 60 А, TO220 (20 шт.) - фото 1 - id-p3243322423

Характеристики и описание

Основные

Максимальная мощность рассеивания	83.3 Вт
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер	600 В
Максимально допустимый ток коллектора	60 А
Тип монтажа	Вставной
Тип транзистора	Полевой

Дополнительные характеристики

Состояние	Новое

Пользовательские характеристики

Гарантийный срок	12 міс
Количество в комплекте	20 шт.
Корпус	TO220
Производитель	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT15B60D — полупроводниковый прибор в корпусе TO220 для штыревого монтажа. Комплект состоит из 20 единиц.

Тип транзистора: IGBT
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
Максимально допустимый ток коллектора: 60 А
Максимальная мощность рассеивания: 83,3 Вт
Корпус: TO220
Тип монтажа: штыревой
Количество в комплекте: 20 шт.

Энергия переключения и заряд затвора

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В и максимальный ток коллектора 60 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 83,3 Вт. Энергия выключения составляет 0,11 мДж, а энергия включения — 0,42 мДж. Заряд затвора равен 25,4 нКл.

Напряжение затвора и насыщения

Максимальное напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер равно 1,6 В.