
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 12.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ K5 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5 — это униполярный полевой транзистор с технологией MDmesh™ K5, предназначенный для работы с напряжением до 800 В. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 12,3 А. В импульсном режиме ток стока может достигать 78 А.
Корпус и монтажКомпонент изготовлен по технологии MDmesh™ K5. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,26 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а заряд затвора — 40 нКл. Монтаж осуществляется методом THT (сквозь отверстия) в корпусе TO220-3. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 250 Вт.