
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Время выключения | 2.13 мкс |
| Максимальная мощность рассеивания | 180 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 88 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | TO247HV |
| Технология | BiMOSFET™ |
Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXBH10N300HV. Основные параметры: напряжение 3 кВ, ток 10 А, корпус TO247HV.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение 3 кВ и ток 10 А. Максимально допустимый ток коллектора составляет 88 А. Максимальная мощность рассеивания равна 180 Вт.
Временные характеристикиВремя выключения транзистора составляет 2,13 мкс. Заряд затвора равен 46 нКл. Напряжение затвор-эмиттер ограничено значением ±20 В.
Конструкция и монтажТранзистор изготовлен по технологии BiMOSFET™ в корпусе TO247HV. Тип монтажа — выводной (THT). Элемент обладает высоковольтными свойствами.