
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 105 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
IGBT-транзистор IXYS IXYA20N65C3D1 с технологией GenX3™. Компонент имеет рабочее напряжение 650 В и ток коллектора 20 А.
Транзистор использует планарную технологию XPT™ и серию GenX3™. Время включения составляет 51 нс, а выключения — 132 нс.
Надежность в силовых режимахКомпонент рассчитан на постоянное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 20 А. Импульсный ток составляет 105 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 200 Вт.
Удобный монтаж SMDТранзистор выполнен в корпусе TO263 (D2PAK) для поверхностного монтажа (SMD). Заряд затвора составляет 30 нКл.
КомплектацияВнимание: товар поставляется набором из 10 транзисторов.