
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 80 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.89 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK80ZT4 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD) и имеет защиту от электростатического разряда (ESD).
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 1,89 А. Мощность рассеивания составляет 80 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,5 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Корпус, монтаж и технологияКомпонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Транзистор имеет версию ESD. Полярность транзистора — униполярная.
Комплектация и идентификацияТовар поставляется набором из 10 штук. Символ производителя: STD4NK80ZT4.