
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 720 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF9N60M2 — это полевой транзистор с обогащенным каналом в корпусе TO220FP. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 5,5 А.
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и напряжение затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 5,5 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 720 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 20 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Заряд затвора составляет 10 нКл, а импульсный ток стока может достигать 22 А.
КомплектацияВ набор поставляется 20 транзисторов STF9N60M2. Количество в комплекте: 20 шт.