Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1, 650 В, 50 А, TO247-3, 2 шт.
Код: TM035125
В наличии
2 560 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 427 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1 — полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3 с интегрированным встречно-параллельным диодом. Комплект состоит из 2 единиц, для монтажа в разрыв (through-hole).
- Тип монтажа: вставной (through-hole)
- Корпус: TO247-3
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 50 А
- Максимальная мощность рассеивания: 357 Вт
- Технология: Field Stop, Trench, SiC SBD
- Количество в комплекте: 2 шт.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, а максимальный ток коллектора — 50 А. Максимальная мощность рассеивания равна 357 Вт. Напряжение затвор-эмиттер ограничено значением ±20 В.
Технология и конструкцияПрибор изготовлен по технологии Field Stop, Trench и использует SiC SBD. Корпус TO247-3. Интегрированный встречно-параллельный диод.
КомплектацияВ наборе поставляется 2 транзистора. Количество в комплекте: 2 шт.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
