Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF065SIC020, 650В, 100А, TO247-4
Код: TM152561
В наличии
3 160 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 527 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 550 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | TO247-4 |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF065SIC020 изготовлен по технологии SiC. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 100 А.
- Технология SiC
- Корпус TO247-4
- Напряжение сток-исток 650 В
- Ток стока 100 А
- Мощность рассеивания 550 Вт
- Сопротивление Rds 16 мОм
Максимальная мощность рассеивания составляет 550 Вт. Эта характеристика определяет тепловой режим работы компонента.
Устойчивость к высоким напряжениямМаксимально допустимое напряжение сток-исток равно 650 В. Напряжение затвор-исток ограничено значением 18 В. Такие параметры определяют рабочий диапазон транзистора.
Сопротивление в открытом состоянииСопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 16 мОм. Параметр определяет электрическое сопротивление канала транзистора в открытом состоянии. Корпус TO247-4 и штыревой тип монтажа определяют способ установки компонента на плату. Транзистор является полевым, что соответствует его конструктивным особенностям.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
