Транзистор IGBT STMicroelectronics STGD10NC60KDT4, 600 В, 10 А, DPAK (20 шт.)
Код: TM037111
В наличии
3 620 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 603 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 62 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 10 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 в корпусе DPAK для поверхностного монтажа. Комплект состоит из 20 штук, предназначенных для электронных схем с нагрузкой до 600 В и током коллектора 10 А.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 10 А (30 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 62 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Интегрированный антипараллельный диод
- Комплектация: 20 шт.
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 10 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 30 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 62 Вт.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе для поверхностного монтажа DPAK. Монтаж осуществляется по технологии SMD. Напряжение на затворе ограничено диапазоном ±20 В, а заряд затвора равен 19 нКл.
Особенности конструкцииВ корпусе интегрирован антипараллельный диод.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
