Prom – найбільший маркетплейс України

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 5600 MHz Impact Black Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-32)-Sara

Код: 721928-01-VA
Готово к отправке
от 4329 /мес
21 647 
22 316 скидка еще 46 дней
New
Оплатить частями

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Изображение для Оплатить частями
    Без переплат*, от 4329 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA913220010000026004340060239
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 5600 MHz Impact Black Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-32)-Sara - фото 1 - id-p2978503559
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 5600 MHz Impact Black Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-32)-Sara - фото 1 - id-p2978503559
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 5600 MHz Impact Black Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-32)-Sara - фото 2 - id-p2978503559
  • Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 5600 MHz Impact Black Kingston Fury (ex.HyperX) (KF556S40IBK2-32)-Sara - фото 3 - id-p2978503559

Характеристики и описание

Основные

Частота памяти5600 МГц
Тип оперативной памятиDDR5
НазначениеДля ноутбука

Пользовательские характеристики

(Сборка) Высота модуля памятистандарт
(Сборка) Потребляемая мощность5 Вт
АртикулKF556S40IBK2-32
Буферизацияunbuffered
Гарантия, мес90
Количество модулей в наборе2
МoдельSoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 5600 MHz Impact Black
Напряжение питания1.1 В
Объем памяти32 ГБ
ОхлаждениеНет
Примечаниетовар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, гарантирующей только их безопасную транспортировку., в упаковке без оформления, Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть
Проверка и коррекция ошибок (ECC)non-ECC
ПроизводительKingston Fury (ex.HyperX)
Стандарты памятиPC5-44800
Страна производстваКитай
ТаймингиCL40-40-40
Тип памятиDDR5
Форм-фактор памяти262-pin SO-DIMM

С превосходной скоростью, функцией Plug N Play, удвоенным с 16 до 32 количеством банков и удвоенной с 8 до 16 длиной пакета Kingston FURY Impact DDR5 идеально подходит для геймеров и энтузиастов, которым нужна более высокая производительность на платформах следующего поколения.

Увеличивая скорость, емкость и надежность, Kingston FURY Impact DDR5 предлагает целый арсенал расширенных функций, таких как ECC на кристалле (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и интегрированная в модуль схема управления питанием (PMIC), обеспечивающая контроль и подстройку напряжений непосредственно на модуле памяти. При игре в самых экстремальных условиях, при стриминге в формате 4K и выше или при серьезной анимации и 3D-рендеринге, Kingston FURY Impact DDR5 — это следующее повышение уровня, при котором идеально сочетаются стиль и производительность.

Кроме того, Kingston FURY Impact DDR5 получила сертификат Intel XMP 3.0 и Certified, что означает, что пользователи могут рассчитывать на простой, стабильный и сертифицированный разгон.

Особенности:

  • Более высокая производительность: Память DDR5 на 50% быстрее, чем DDR4, что добавляет производительности в играх, рендере и многозадачных средах.
  • Поддержка технологии автоматического разгона Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 поддерживает автоматический разгон до максимальной частоты, указанной в спецификациях.
  • Сертификация Intel XMP 3.0: Повышение производительности памяти с предварительно оптимизированными таймингами, скоростью и напряжением питания для разгона.
  • Ниже энергопотребление, выше эффективность: Снижение тепловыделения и повышение эффективности системы благодаря низкому напряжению питания памяти Impact DDR5 1.1 В.
  • Повышенная стабильность при разгоне: Коррекция ошибок на кристалле (On-die ECC, ODECC) помогает обеспечить целостность данных при разгоне памяти для повышения ее производительности.
Был online: Вчера
SARA
96% положительных отзывов

Похожее у других продавцов