Транзистор полевой 2N7002
Код: A118383
Готово к отправке
10+ купили
12.18 ₴
Заказ у продавца — от 200 ₴
Доставка
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Наложенный платежНова Пошта, Укрпочта
Оплата на счет
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | PD |
|---|
Пользовательские характеристики
| Корпус | SOT-23 |
|---|---|
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 150 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 20 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 60 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 3 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 1-2,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 0,3 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 0,35 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 10 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 17 |
(N-Ch) 60V; 0.3A; 0.35W; 3 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 0,3 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): до 3 Ом
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…2,5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 0,35 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈10 нс; td(off) ≈17 нс
- Корпус: SOT-23
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус SOT-23, вид сверху: 1. Gate (G, Затвор) 2. Source (S, Исток) 3. Drain (D, Сток).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
![IRF9Z34NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 17 А: Rси(вкл): 0.1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7707119425_w200_h200_irf9z34npbf-mosfet-silovoj.jpg)
![IRFU9024PBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 35 А: Rси(вкл): 0.28 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7707132888_w200_h200_irfu9024pbf-mosfet-silovoj.jpg)
![STN1NK60Z MOSFET силовой транзистор — [SOT-223]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 250 мА: Rси(вкл): 15 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:](https://images.prom.ua/7707115151_w200_h200_stn1nk60z-mosfet-silovoj.jpg)
![IRFL4105PBF MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]: Тип: N: Uси: 55 В: Rси(вкл): 45 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В:](https://images.prom.ua/7707110240_w200_h200_irfl4105pbf-mosfet-silovoj.jpg)
![BSP62.115 Биполярный транзистор - [SOT-223]: Тип: PNP Darl.: UКЭ(макс): 80 В: IК(макс): 500 мА: Pрасс: 1.25 Вт: Fгран: 200 МГц:](https://images.prom.ua/7707132895_w200_h200_bsp62115-bipolyarnyj-tranzistor.jpg)
