
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 312 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 77 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе D2PAK. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 77 А при мощности рассеивания 312 Вт.
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и максимально допустимый ток стока 77 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 10.5 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 312 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Корпус D2PAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Тип транзистора — полевой, канал обогащенный, полярность униполярная.
КомплектацияВ наборе поставляется 10 шт. транзисторов STB120NF10T4.