Транзистор IGBT SEMIKRON DANFOSS SKIIP 38NAB12T4V1, 1200 В, 300 А (SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490)
Код: TM020522
В наличии
15 170 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 2528 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | MiniSKiiP® 3 |
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
Полупроводниковый модуль IGBT от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 38NAB12T4V1. Устройство сочетает в себе диодную и транзисторную структуры с максимальным током коллектора 300 А и напряжением 1,2 кВ.
- Максимально допустимый ток коллектора: 300 А
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Корпус: MiniSKiiP® 3
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Тип монтажа: Press-Fit
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и максимально допустимый ток коллектора 300 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В. Топология устройства включает buck chopper, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост и термистор.
Конструкция и монтажКорпус модуля выполнен в стандарте MiniSKiiP® 3. Структура полупроводника реализована как диод/транзистор. Электрический монтаж осуществляется по технологии Press-Fit, а механическое крепление является прикручиваемым.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
