
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 320 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF14NM50N — полевой транзистор с каналом обогащения и технологией MDmesh™ II. Максимальное напряжение сток-исток — 500 В, максимальный ток стока — 8 А.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток — 25 В. Максимальный ток стока — 8 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 320 мОм.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Максимальная мощность рассеивания — 25 Вт. Технология: MDmesh™ II.
КомплектацияВ комплект входят 20 шт. транзисторов STF14NM50N.