Транзистор полевой IRFB59N10D
Код: A118202
Готово к отправке
10+ купили
149.64 ₴
Заказ у продавца — от 200 ₴
Доставка
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Наложенный платежНова Пошта, Укрпочта
Оплата на счет
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IR |
|---|
Пользовательские характеристики
| Корпус | TO-220 |
|---|---|
| Число каналов | 1 |
| Максимальна робоча температура, °C | 175 |
| Мінімальна робоча температура, °C | -55 |
| Напруга затвор-витік Vgs, Вольт | 30 |
| Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт | 100 |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом | 0,025 |
| Полярность | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт | 3-5,5 |
| Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер | 59 |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт | 200 |
| Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд | 16 |
| Час закриття транзистора td(off), Наносекунд | 20 |
N-ch; 100V; 59A; 200W; 0.025 Ohm
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: TO-220
- Монтаж: THT (выводной монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 100 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 59 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 200 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.025 Ом
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус TO-220. Если смотреть на сторону с маркировкой, выводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Металева задня пластина/фланець у звичайному неізольованому корпусі обычно соединена з Drain.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
