
|
Общие характеристики |
|
|
Тип памяти |
DDR2 |
|
Форм-фактор |
DIMM 240-контактный |
|
Тактовая частота |
533 МГц |
|
Пропускная способность |
4200 Мб/с |
|
Объем |
1 модуль 512 Мб |
|
Поддержка ECC |
нет |
|
Буферизованная (Registered) |
нет |
|
Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
|
Тайминги |
|
|
CAS Latency (CL) |
4 |
|
Дополнительно |
|
|
Количество чипов каждого модуля |
8, односторонняя упаковка |
|
Напряжение питания |
1.8 В |