Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, 800 В, 6,6 А, TO247 (набор 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение сток-исток до 800 В и ток стока 6,6 А. Прибор выполнен в корпусе TO247 с технологией SuperMesh™ и имеет максимальную мощность рассеивания 190 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Максимальный ток стока: 6,6 А
• Мощность рассеивания: 190 Вт
• Корпус: TO247, монтаж выводной
• Сопротивление в открытом состоянии: 650 мОм
• Количество в наборе: 5 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 800 В и напряжением затвор-исток 30 В. Максимальный ток стока составляет 6,6 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 650 мОм. Максимальная мощность рассеивания прибора — 190 Вт.

Компонент изготовлен в корпусе TO247 с выводным типом монтажа. Транзистор является однополярным (unipolar) с каналом обогащения (enhancement). Используется технология SuperMesh™.

В комплекте поставляется 5 транзисторов. Версия компонента обозначена как ESD.