Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC022-AQ, 1200 В, 85 А, TO247-3
Код: TM202612
В наличии
5 580 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 930 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 340 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимый ток стока | 85 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET от бренда DIOTEC SEMICONDUCTOR, модель DIW120SIC022-AQ. Это силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC) в корпусе TO247-3 с током стока 85 А.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток стока: 85 А
- Мощность рассеивания: 340 Вт
- Корпус: TO247-3
Прибор имеет максимальное напряжение затвор-исток 18 В и максимальный ток стока 85 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 28 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 340 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) в корпусе TO247-3. Тип монтажа — выводной (THT). Канал встроенный (обогащенный), полярность униполярная. Импульсный ток составляет 250 А, заряд затвора — 269 нКл. Прибор предназначен для автомобильной отрасли.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
