
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 380 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 300 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | GenX3™, PT |
Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXGH60N60C3D1, выполнен в корпусе TO247-3. В комплект поставки входят 2 единицы. Устройство относится к технологии GenX3™ и имеет максимальную рассеиваемую мощность 380 Вт.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В. Заряд затвора составляет 115 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажКомпонент изготовлен по технологии GenX3™, PT. Корпус TO247-3 предусматривает штыревой тип монтажа.
КомплектацияВ наборе содержится 2 транзистора IXGH60N60C3D1.