
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | SuperMesh™ |
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET STMicroelectronics STP12NK80Z в корпусе TO220-3. Компоненты имеют напряжение сток-исток 800 В и ток стока 6,6 А.
Напряжение сток-исток: 800 В. Ток стока: 6,6 А.
МощностьРассеиваемая мощность: 190 Вт.
Технология и версияТехнология: SuperMesh™. Версия: ESD.