Транзистор IGBT ONSEMI FGD3245G2-F085, 450 В, 23 А, DPAK, 10 шт.
Код: TM153078
В наличии
3 130 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 522 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 450 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 23 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор IGBT производства ONSEMI, модель FGD3245G2-F085. Устройство имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 450 В и ток коллектора 23 А. Корпус DPAK обеспечивает поверхностный монтаж.
- Тип транзистора: IGBT (полевой)
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 23 А
- Максимальная мощность рассеивания: 150 Вт
- Корпус: DPAK, поверхностный монтаж
- Количество в комплекте: 10 шт.
Максимальная мощность рассеивания составляет 150 Вт. Напряжение коллектор-эмиттер ограничено значением 450 В, а максимальный ток коллектора — 23 А. Заряд затвора равен 23 нКл, напряжение затвор-эмиттер — ±10 В.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа. Версия устройства обозначена как ESD. Тип транзистора — полевой (IGBT).
Дополнительные характеристики и применениеТранзистор имеет свойства «logic level». Применение: системы зажигания. В комплект входит 10 шт. транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
