Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3, 350 А, 1,2 кВ
Код: TM018755
В наличии
8 230 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 1372 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Максимально допустимый ток коллектора | 350 А |
|---|
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | V3 62MM |
| Производитель | HUAJING |
| Технология | PT |
IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3 — полупроводниковый компонент в корпусе V3 62MM с максимально допустимым током коллектора 350 А и обратным напряжением 1,2 кВ.
- Максимально допустимый ток коллектора: 350 А
- Обратное напряжение: 1,2 кВ
- Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В
- Корпус: V3 62MM
- Технология: PT
- Монтаж: коннекторы FASTON, винтовое крепление
Модуль работает с обратным напряжением до 1,2 кВ и выдерживает максимальный ток коллектора 350 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±30 В. Технология изготовления — PT.
Конструкция и монтажСтруктура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор» в топологии полумоста IGBT. Электрический монтаж выполняется с помощью коннекторов FASTON и винтового крепления. Механическое крепление модуля также осуществляется винтовым креплением.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
