Транзистор IGBT ONSEMI FGA40T65SHD, 650 В, 120 А, TO3P (набор 10 шт.)
Код: TM018605
В наличии
3 570 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 595 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 134 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO3P |
Транзистор IGBT производства ONSEMI, модель FGA40T65SHD. Устройство рассчитано на максимальное напряжение 650 В и ток коллектора до 120 А. Изготовлен в корпусе TO3P с выводным типом монтажа.
- Тип транзистора: IGBT (полевой)
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 120 А
- Максимальная мощность рассеивания: 134 Вт
- Корпус: TO3P, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимально допустимый ток коллектора 120 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 134 Вт. Согласно данным, это полевой транзистор.
Конструкция и монтажКомпонент изготовлен в корпусе TO3P. Тип монтажа — выводной. В конструкции предусмотрен интегрированный антипараллельный диод.
КомплектацияВ комплекте поставляется 10 шт. транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
